原子层沉积（ALD）技术是一种先进的薄膜制备技术，其特点在于能够在原子尺度上实现对薄膜成分的精确控制。金沙3354cc原子层沉积课题组在王新炜特聘研究员的带领下，一直致力于ALD方法学方面的研究，主要包括开发新型材料的ALD工艺，研究ALD过程的机理等，并致力于将所开发的先进技术方法应用于金沙3354cc的清洁能源材料与器件、有机光电等大方向的研究上，为这些方向的快速发展提供先进的技术支持与储备。
近日，原子层沉积课题组在新型ALD方法的开发方面取得了重要的进展。以2014级直博生李豪与2014级硕士生高源鸿为共同第一完成人，该课题组开发了一种新型ALD工艺方法，用以制备高质量的硫化钴薄膜，并展示了其优良的电化学性能。该工作发表在了影响因子为13.592的《纳米快报（Nano Letters）》上。
此外，该课题组还与北京印刷学院等离体物理与材料研究室合作，共同开发了一种低温原子层沉积工艺，用以制备高质量的金属铜薄膜。该工作发表了影响因子为8.354的《材料化学（Chemistry of Materials）》上。2014级直博生李豪该论文的为共同一作，深研院为共同通讯单位。
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Hao Li,# Yuanhong Gao,# Youdong Shao, Yantao Su, Xinwei Wang,* “Vapor-Phase Atomic Layer Deposition of Co9S8 and Its Application for Supercapacitors”, Nano Letters, ASAP (2015). (#Equal contribution) DOI: 10.1021/acs.nanolett.5b02508
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Zheng Guo,# Hao Li,# Qiang Chen, Lijun Sang, Lizhen Yang, Zhongwei Liu,* Xinwei Wang,* “Low-Temperature Atomic Layer Deposition of High Purity, Smooth, Low Resistivity Copper Films by Using Amidinate Precursor and Hydrogen Plasma”, Chemistry of Materials 27, 5988 (2015). (#Equal contribution) DOI: 10.1021/acs.chemmater.5b02137
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